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SUP75N08-10-E3
- MOSFET 75V 75A 187W - SUP75N0810E3
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SUP75N08-10-E3
制造商型号:
SUP75N08-10-E3
制造商:
VISHAY SILICONIX
描述:
MOSFET 75V 75A 187W
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
75 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
75 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
10 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 175 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220AB-3
封装:
Tube
下降时间:
20 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
187 W
上升时间:
95 ns
工厂包装数量:
500
商标名:
TrenchFET
典型关闭延迟时间:
65 ns
手机网站相关详细信息:
SUP75N08-10-E3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SUP75N08-10-E3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SUP75N08-10-E3 品牌: VISHAY SILICONIX 备注: MOSFET 75V 75A 187W
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Q Q:
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