SUP33N20-60P-E3,SUP33N20-60P-E3|VISHAY SILICONIX代理分销-SUP33N2060PE3原装现货,PDF下载
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SUP33N20-60P-E3
制造商型号： SUP33N20-60P-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 200V 33A 156W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 25 V
漏极连续电流:33 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:60 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:9 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:3.12 W
上升时间:170 ns
工厂包装数量:500
典型关闭延迟时间:26 ns

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