SUM36N20-54P-E3,SUM36N20-54P-E3|VISHAY SILICONIX代理分销-SUM36N2054PE3原装现货,PDF下载
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SUM36N20-54P-E3|VISHAY SILICONIX
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SUM36N20-54P-E3
制造商型号: SUM36N20-54P-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SUM36N20-54P
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)36A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)53 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)127nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)3100pF @ 25V
功率 - 最大值3.12W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263(D2Pak)
其它名称SUM36N20-54P-E3-ND
SUM36N20-54P-E3TR

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