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SUM110N03-04P-E3|VISHAY SILICONIX
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SUM110N03-04P-E3
制造商型号: SUM110N03-04P-E3
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH D-S 30V D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 SUM110N03-04P
产品相片 TO-263
标准包装  800
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchFET®
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)110A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5100pF @ 25V
功率 - 最大值3.75W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装TO-263(D2Pak)
其它名称SUM110N03-04P-E3-ND
SUM110N03-04P-E3TR
SUM110N0304PE3

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