型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
SUD45P04-16P-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 40V 36A P-Channel RoHS: Compliant | 搜索 |
SUD50P04-23-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S), MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SUD50P04-23-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET P-CH D-S 40V TO252 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 8.2A TO252 详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 8.2A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),45.4W(Tc) TO-252,(D-Pak) 型号:SUD50P04-23-GE3 仓库库存编号:SUD50P04-23-GE3-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | SUD50P04-23 |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 2,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 40V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8.2A (Ta), 20A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 23 毫欧 @ 15A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 65nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1880pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |