| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SUD50N03-16P-GE3 | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SUD50N03-16P-GE3 VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH D-S 30V TO252  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V TO252 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.5W（Ta），40.8W（Tc） TO-252，（D-Pak） 型号：SUD50N03-16P-GE3 仓库库存编号：SUD50N03-16P-GE3-ND | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SUD50N03-16P-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SUD50N03-16P-GE3 Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V TO252 | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | SUD50N03-16P |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 15A （Ta）， 37A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1150pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 40.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
