SUD45P03-09-GE3,SUD45P03-09-GE3|VISHAY-SUD45P0309GE3原装现货,PDF下载
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SUD45P03-09-GE3
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MOSFET P-CH 30V 45A DPAK

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SUD45P03-09-GE3
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MOSFET P-CH 30V 45A DPAK

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MOSFET P-CH 30V 45A DPAK

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MOSFET 30V 45A PCH

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Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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SUD45P03-09-GE3
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Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R - Tape and Reel (Alt: SUD45P03-09-GE3)

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SUD45P03-09-GE3
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Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R (Alt: SUD45P03-09-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 30V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, P-CH, -30V, -45A, TO-252AA

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MOSFET, P-CH, -30V, -45A, TO-252AA

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SUD45P03-09-GE3
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Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252

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SUD45P03-09-GE3
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Single P-Channel 30 V 8.7 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - TO-252

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SUD45P03-09-GE3
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MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 15mohm, Id -32A, TO-252, Pd 41.7W

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SUD45P03-09-GE3
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MOSFET 30V 45A PCH

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SUD45P03-09-GE3 VISHAY Single P-Channel 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3 查看库存、价格及货期
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Vishay Siliconix - SUD45P03-09-GE3 - MOSFET P-CH 30V 45A DPAK		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 45A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 45A（Tc） 2.1W（Ta），41.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SUD45P03-09-GE3
仓库库存编号：SUD45P03-09-GE3CT-ND
别名：SUD45P03-09-GE3CT
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Siliconix / Vishay - SUD45P03-09-GE3 - Pd 41.7W TO-252 Id -32A Rds(on) 15mohm Vgs +/- 20V Vds -30V P-Ch MOSFET|70026455 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
MOSFET, P-Ch, Vds -30V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 15mohm, Id -32A, TO-252, Pd 41.7W

型号：SUD45P03-09-GE3
仓库库存编号：70026455

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SUD45P03-09-GE3
VISHAY SUD45P03-09-GE3		2646407

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -45 A, -30 V, 0.0072 ohm, -10 V, -2.5 V

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SUD45P03-09-GE3
VISHAY SUD45P03-09-GE3		2679717

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -45 A, -30 V, 0.0072 ohm, -10 V, -2.5 V

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SUD45P03-09-GE3|VISHAYSUD45P03-09-GE3
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SUD45P03-09-GE3|Vishay SiliconixSUD45P03-09-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
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SUD45P03-09-GE3
制造商型号： SUD45P03-09-GE3
制造商： VISHAY
描述： Single P-Channel 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • Channel Type: P-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.0087 Ω
  • Qg Gate Charge: 90 nC
  • Rated Power Dissipation: 2.1 W

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