SUD19N20-90,SUD19N20-90|VISHAY SILICONIX代理分销-SUD19N2090原装现货,PDF下载
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SUD19N20-90 VISHAY SILICONIX MOSFET 200V 17.5A 100W 查看库存、价格及货期
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无图SUD19N20-90
VISHAY SILICONIX		MOSFET 200V 17.5A 100W
Rohs

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SUD19N20-90-E3|VISHAYSUD19N20-90-E3
VISHAY		单 N 沟道 200 V 0.09 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Rohs

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SUD19N20-90-T4-E3|VISHAY SILICONIXSUD19N20-90-T4-E3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-CH D-S 200V TO252
Rohs

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SUD19N20-90-E3|Vishay SiliconixSUD19N20-90-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 200V DPAK
Rohs

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SUD19N20-90-T4-E3|Vishay SiliconixSUD19N20-90-T4-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 200V TO252
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SUD19N20-90-E3|VISHAYSUD19N20-90-E3
VISHAY		单 N 沟道 200 V 0.09 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-252
Rohs

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SUD19N20-90-E3|Vishay SiliconixSUD19N20-90-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 200V DPAK
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SUD19N20-90-T4-E3|Vishay SiliconixSUD19N20-90-T4-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 200V TO252
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SUD19N20-90|VISHAY SILICONIXSUD19N20-90
VISHAY SILICONIX		MOSFET 200V 17.5A 100W
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SUD19N20-90-E3
VISHAY SUD19N20-90-E3		1470144

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 90 mohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Vishay Siliconix - SUD19N20-90-E3 - MOSFET N-CH 200V 19A DPAK		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SUD19N20-90-E3
仓库库存编号：SUD19N20-90-E3CT-ND
别名：SUD19N20-90-E3CT
无铅搜索

Vishay Siliconix - SUD19N20-90-T4-E3 - MOSFET N-CH 200V 19A TO252		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

型号：SUD19N20-90-T4-E3
仓库库存编号：SUD19N20-90-T4-E3-ND
 无铅搜索
无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SUD19N20-90
制造商型号： SUD19N20-90
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： MOSFET 200V 17.5A 100W
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
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订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:否
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:90 mOhms
配置:Single
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
封装:Reel
下降时间:60 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:3 W
上升时间:50 ns
工厂包装数量:2000
商标名:TrenchFET
典型关闭延迟时间:30 ns

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