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STW23NM60N|STMicroelectronics
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STW23NM60N
制造商型号： STW23NM60N
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，600V，19.5A，TO247
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间90 ns
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs70 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds2050 pF V @ 50
安装类型通孔
宽度5.15mm
封装类型TO-247
尺寸15.75 x 5.15 x 20.15mm
引脚数目3
最大功率耗散150 W
最大栅源电压±25 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.18 Ω
最大连续漏极电流19.5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度15.75mm
高度20.15mm

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