STU8NM50,STU8NM50|STMicroelectronics代理分销-STU8NM50原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 364 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 封装类型 | TO-251 | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.79 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 6.9mm |
