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STU75N3LLH6
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 75A IPAK0
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STU75N3LLH6-S
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STMicroelectronics - STU75N3LLH6 - MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 60W(Tc) I-Pak

型号:STU75N3LLH6
仓库库存编号:497-12701-5-ND
别名:497-12701-5 <br>STU75N3LLH6-ND <br>

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STMicroelectronics - STU75N3LLH6-S - MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 75A IPAK

详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 60W(Tc) I-Pak

型号:STU75N3LLH6-S
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STMicroelectronics - STU75N3LLH6 - STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU75N3LLH6, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装

制造商零件编号:
STU75N3LLH6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9761
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STU75N3LLH6|STMicroelectronics
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STU75N3LLH6
制造商型号: STU75N3LLH6
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 STx75N3LLH6(-S)
产品相片 DPAK_369D?01
其它有关文件 STU75N3LLH6 View All Specifications
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™ DeepGATE™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)75A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.9 毫欧 @ 37.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)23.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2030pF @ 10V
功率 - 最大值60W
安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装I-Pak
其它名称497-12701-5
STU75N3LLH6-ND

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