| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| STP8NK80ZF | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，800V，6.2A，TO220FP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-220FP 详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP 型号：STP8NK80ZFP 仓库库存编号：497-5982-5-ND 别名：497-5982-5 | 无铅 | 搜索 |
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STP8NK80ZFP | 1291990 | STMICROELECTRONICS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V  (EN) | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STP8NK80ZFP 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 761-0190 | 搜索 |
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 | STP8NK80ZF STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，800V，6.2A，TO220FP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 48 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 46 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1320 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 30 W | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 6.2 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 16.4mm |
