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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STP80NF55-06 [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 55 V 6.5 mOhm Flange Mount STripFET II Power Mosfet - TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
STP80NF55-06FP [更多] | STMicroelectronics | 55V, 60A, 6.5MOHM, N-CHANNEL, TO0220FP RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
STP80NF55-08 [更多] | STMicroelectronics | N-Channel 55 V 8 mOhm Flange Mount STripFET? II Power Mosfet - TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STP80NF55-06FP [更多] | STMicroelectronics | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220FP Polarity: N Power dissipation: 45 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STP80NF55-06 [更多] | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 80A, 300W, TO220-3
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STP80NF55-06FP [更多] | STMicroelectronics | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 42A, 45W, TO220FP
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
STP80NF55-06 [更多] | STMicroelectronics | 80 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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STP80NF55-06 [更多] | STMicroelectronics | 80 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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STP80NF55-06 [更多] | STMicroelectronics | 80 A, 55 V, 0.0065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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STP80NF55-0 | STMicroelectronics | MOSFET,N沟道,55V,80A,UltraFET II,TO220 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB 型号:STP80NF55-06 仓库库存编号:497-2774-5-ND 别名:497-2774-5 <br>STP80NF5506 <br> | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: STP80NF55-08 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 920-8711 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号: STP80NF55-06 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 920-6597 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号: STP80NF55-06 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 687-5305 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号: STP80NF55-06FP 品牌: STMicroelectronics 库存编号: 485-7894 | 搜索 |
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典型关断延迟时间 | 125 ns | |
典型接通延迟时间 | 27 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 142 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 4400 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.6mm | |
封装类型 | TO-220 | |
尺寸 | 10.4 x 4.6 x 9.15mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 300000 mW | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
最大连续漏极电流 | 80 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.4mm | |
高度 | 9.15mm |