STP10P6F6,STP10P6F6|STMicroelectronics代理分销-STP10P6F6原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STx10P6F6 |
|---|---|
| 其它有关文件 | STP10P6F6 View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ VI, DeepGATE™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 10A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 180 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 360pF @ 48V |
| 功率 - 最大值 | 35W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13440 |
