型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
STP10N62K3 | STMicroelectronics | | 64 1起订 | 1+ 11+ 34+ | ¥57.28 ¥42 ¥38.19 | 1-3周 | 购买 |
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STP10N62K3 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22 RoHS: Compliant | 搜索 |
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STP10N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 详细描述:通孔 N 沟道 8.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB 型号:STP10N62K3 仓库库存编号:497-9099-5-ND 别名:497-9099-5 <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | STx(x)10N62K3 |
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产品相片 | TO-220AB |
其它有关文件 | STP10N62K3 View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SuperMESH™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 620V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8.4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 750 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1250pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
产品目录页面 | 1541 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | 497-9099-5 |