STN3P6F6,STN3P6F6|STMicroelectronics代理分销-STN3P6F6原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STN3P6F6 |
|---|---|
| 其它有关文件 | STN3P6F6 View All Specifications |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ VI, DeepGATE™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3A （Tpcb） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 344pF @ 48V |
| 功率 - 最大值 | 2.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | 497-13537-2 |
