STI19NM65N,STI19NM65N|STMicroelectronics代理分销-STI19NM65N原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STx19NM65N |
|---|---|
| 产品相片 | TO-262-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | MDmesh™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 15.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 270 毫欧 @ 7.75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1900pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
