典型关断延迟时间 | 144.4 ns | |
典型接通延迟时间 | 31.4 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 183 nC @ 10 V | |
典型输入电容值@Vds | 11400 pF @ 25 V | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 10.4mm | |
封装类型 | H2PAK-2 | |
尺寸 | 15.8 x 10.4 x 4.8mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 300 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | 2 米Ω | |
最大连续漏极电流 | 180 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 15.8mm | |
高度 | 4.8mm |