STGW60H65DF,STGW60H65DF|STMicroelectronics代理分销-STGW60H65DF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STGW60H65DF |
|---|---|
| 其它有关文件 | STGW60H65DF View All Specifications |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 15V，60A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 120A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
| 功率 - 最大值 | 360W |
| Switching Energy | 2.6mJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 206nC |
| Td (on/off) A 25°C | 67ns/165ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 10 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 62ns |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13105-5 |
