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STGD3NB60H
- IGBT 晶体管 N-CH 600V 3A - STGD3NB60H
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STGD3NB60H
制造商型号:
STGD3NB60H
制造商:
STMicroelectronics
描述:
IGBT 晶体管 N-CH 600V 3A
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
STMicroelectronics
RoHS:
否
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
600 V
栅极/发射极最大电压:
+/- 20 V
最大工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
DPAK-3
集电极最大连续电流 Ic:
6 A
最小工作温度:
- 65 C
安装风格:
SMD/SMT
工厂包装数量:
75
手机网站相关详细信息:
STGD3NB60H
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
STGD3NB60H
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: STGD3NB60H 品牌: STMicroelectronics 备注: IGBT 晶体管 N-CH 600V 3A
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Q Q:
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