数据列表 | STG(B,P)10NB60S |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
其它有关文件 | STGB10NB60S View All Specifications |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | PowerMESH™ |
包装 | 带卷 (TR) |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.7V @ 15V,10A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 29A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
功率 - 最大值 | 80W |
Switching Energy | 5.6mJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 33nC |
Td (on/off) A 25°C | 700ns/1.2µs |
Test Condition | 480V, 10A, 1 千欧, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | 497-12593-2 STGB10NB60ST4-ND |