STG3P2M10N60B,STG3P2M10N60B|STMicroelectronics代理分销-STG3P2M10N60B原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STG3P2M10N60B |
|---|---|
| 产品相片 | SEMITOP2 SERIES |
| 标准包装 | 15 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | SEMITOP® |
| IGBT 类型 | - |
| 配置 | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V，7A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 19A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA |
| 不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 0.72nF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 56W |
| 输入 | 单相桥式整流器 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SEMITOP?2 |
| 供应商器件封装 | SEMITOP?2 |
| 产品目录页面 | 1544 (CN2011-ZH PDF) |
| 配用 | |
| 其它名称 | 497-5216 |
