数据列表 | STx(x)6N65K3 |
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其它有关文件 | STFI6N65K3 View All Specifications |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SuperMESH3™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 5.4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.3 欧姆 @ 2.7A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 880pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 30W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3 整包, I²Pak |
供应商器件封装 | I2PAKFP |
其它名称 | 497-13599-5 |