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STF12N65M
制造商型号： STF12N65M
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET，N沟道，650V，8.5A，TO220FP
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
典型栅极电荷@Vgs20 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds900 pF @ 100 V
安装类型通孔
宽度4.6mm
封装类型TO-220FP
尺寸10.4 x 4.6 x 16.4mm
引脚数目3
最大功率耗散25 W
最大栅源电压25 V
最大漏源电压650 V
最大漏源电阻值0.43 Ω
最大连续漏极电流8.5 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.4mm
高度16.4mm

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