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STMICROELECTRONICS		场效应管 MOSFET N SOT-227
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STE40NK90ZD|STMicroelectronicsSTE40NK90ZD
STMicroelectronics		MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
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STMicroelectronics - STE40NK90ZD - MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 40A（Tc） 600W（Tc） ISOTOP?

型号：STE40NK90ZD
仓库库存编号：497-4337-5-ND
别名：497-4337-5
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STE40NK90ZD|STMICROELECTRONICS
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STE40NK90ZD
制造商型号： STE40NK90ZD
制造商： STMICROELECTRONICS
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场??应管 MOSFET N SOT-227
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 40A
  • 漏源电压, Vds: 900V
  • 在电阻RDS（上）: 170mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3.75V
  • 功耗, Pd: 600W
  • 工作温度最小值: -65°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: ISOTOP
  • 针脚数: 4
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 600W
  • 功耗, Pd: 600W
  • 封装/箱盒: ISOTOP
  • 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 40A
  • ??压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 900V
  • 电压, Vgs 最高: 30V
  • 电流, Idm 脉冲: 160A
  • 表面安装器件: 螺丝
  • 通态电阻 @ Vgs = 10V: 170mohm
产地： MA Morocco

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