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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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MOSFET N-Ch 60 Volt 12 Amp

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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Tape and Reel (Alt: STD12NF06T4)

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MOSFET, N CH, 60V, 12A, DPAK

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 8.5A, 30W, DPAK

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STMicroelectronics - STD12NF06T4 - MOSFET N-CH 60V 12A DPAK		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） D-Pak

型号：STD12NF06T4
仓库库存编号：497-3154-1-ND
别名：497-3154-1
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STD12NF06T4
STMICROELECTRONICS STD12NF06T4		2098158

STMICROELECTRONICS

晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V

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STMicroelectronics - STD12NF06T4 - STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD12NF06T4, 12 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号：
STD12NF06T4
品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
760-9887
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STMicroelectronics		MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
STD12NF06T4
制造商型号： STD12NF06T4
制造商： STMicroelectronics
描述： MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 STD12NF06(T4)
产品相片 TO-263
其它有关文件 STD12NF06T4 View All Specifications
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列STripFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）12A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）100 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)315pF @ 25V
功率 - 最大值30W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装D-Pak
产品目录页面1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-3154-2

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