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STD12N65M
- MOSFET,N沟道,650V,8.5A,DPAK - STD12N65M
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STD12N65M
制造商型号:
STD12N65M
制造商:
STMicroelectronics
描述:
MOSFET,N沟道,650V,8.5A,DPAK
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型栅极电荷@Vgs
20 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds
900 pF @ 100 V
安装类型
表面贴装
宽度
6.2mm
封装类型
TO-252
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目
3
最大功率耗散
70 W
最大栅源电压
25 V
最大漏源电压
650 V
最大漏源电阻值
0.43 Ω
最大连续漏极电流
8.5 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
N
长度
6.6mm
高度
2.4mm
手机网站相关详细信息:
STD12N65M
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
STD12N65M
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息: 暂无相关型号
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型号: STD12N65M 品牌: STMicroelectronics 备注: MOSFET,N沟道,650V,8.5A,DPAK
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Q Q:
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