数据列表 | STx11NM60N |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | MDmesh™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 600V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 10A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 450 毫欧 @ 5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 850pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 90W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | 497-5963-5 |