| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| STB30NF10T4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| STB30NF10T4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB30NF10T4) RoHS: Compliant | 搜索 |
| STB30NF10T4 [更多] | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: STB30NF10T4) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| STB30NF10T4 [更多] | STMicroelectronics | MOSFET, N CH, 100V, 35A, D2PAK
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| STB30NF1 | STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，100V，35A，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 115W（Tc） D2PAK 型号：STB30NF10T4 仓库库存编号：497-6550-1-ND 别名：497-6550-1 | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号： STB30NF10T4 品牌： STMicroelectronics 库存编号： 687-5194 | 搜索 |
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 | STB30NF1 STMicroelectronics | MOSFET，N沟道，100V，35A，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1180 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.35mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 115000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.045 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 35 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.6mm |
