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STB20NM50T4
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STMicroelectronics

MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK

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MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp

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Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STB20NM50T4)

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STB20NM50T4
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Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: STB20NM50T4)

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MOSFET, N-CH, 500V, 20A, TO-263

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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STMicroelectronics - STB20NM50T4 - MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 192W(Tc) D2PAK

型号:STB20NM50T4
仓库库存编号:497-5312-2-ND
别名:497-5312-2 <br>Q1966796 <br>STB20NM50T4-ND <br>

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STB20NM50T4
制造商型号: STB20NM50T4
制造商: STMicroelectronics
描述: MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 STB20NM50(-1), STP20NM50(FP)
产品相片 TO-263
其它有关文件 STB20NM50 View All Specifications
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列MDmesh™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)550V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)20A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)250 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1480pF @ 25V
功率 - 最大值192W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D2PAK
产品目录页面1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称497-5312-2
Q1966796
STB20NM50T4-ND

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