典型关断延迟时间 | 20 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 7.3 nC @ 4.5 V | |
典型输入电容值@Vds | 345 pF @ 25 V | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 10.4mm | |
封装类型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 45 W | |
最大栅源电压 | ±16 V | |
最大漏源电压 | 60 V | |
最大漏源电阻值 | Ω0.1 | |
最大连续漏极电流 | 16 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
长度 | 10.75mm | |
高度 | 4.6mm |