STB16N65M,STB16N65M|STMicroelectronics代理分销-STB16N65M原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1250 pF @ 100 V | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 尺寸 | 10.75 x 10.4 x 4.6mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 90 W | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.279 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极 | |
| 长度 | 10.75mm | |
| 高度 | 4.6mm |
