数据列表 | SSM3J117TU(TE85L) Mosfets Prod Guide |
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标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 117 毫欧 @ 1A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 280pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-SMD,扁平引线 |
供应商器件封装 | UFM(2.0x2.1) |