| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SPP100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SPP100N03S203 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1 型号：SPP100N03S2-03 仓库库存编号：SPP100N03S2-03IN-ND 别名：SPP100N03S2-03IN <br> | 含铅 | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 详细描述：通孔 N 沟道 30V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1 型号：SPP100N03S203 仓库库存编号：SPP100N03S203-ND 别名：SP000013463 <br>SPP100N03S203X <br>SPP100N03S203X-ND <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | SP(I,P,B)100N03S2-03 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 100A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.3 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7020pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | P-TO220AB |
| 其它名称 | SPP100N03S2-03IN |
