| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SPD04N50C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3 型号：SPD04N50C3T 仓库库存编号：SPD04N50C3XTINCT-ND 别名：SPD04N50C3XTINCT | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | SPD04N50C3 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-252-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 560V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 950 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 470pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | SPD04N50C3XTINCT |
