SPD02N60S,SPD02N60S|Infineon-SPD02N60S原装现货,PDF下载
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SPD02N60S5BTMA1
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Infineon Technologies AG

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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SPD02N60S5
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Ch 600V 1.8A DPAK-2 CoolMOS S5

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Infineon - SPD02N60S5 - Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPD02N60S5, 1.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号:
SPD02N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
445-2360
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SPD02N60S5
INFINEON SPD02N60S5
1471786

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V

(EN)
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SPD02N60S5
INFINEON SPD02N60S5
1471786RL

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 600 V, 2.7 ohm, 10 V, 4.5 V

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Infineon
MOSFET,N沟道,600V,1.8A,TO252
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SPD02N60S5|INFINEONSPD02N60S5
INFINEON
场效应管 MOSFET N型 600V D-PAK
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无图SPD02N60S5XT
Infineon Technologies
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SPD02N60S5|Infineon TechnologiesSPD02N60S5
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
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SPD02N60S5|INFINEONSPD02N60S5
INFINEON
场效应管 MOSFET N型 600V D-PAK
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MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
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Infineon
MOSFET,N沟道,600V,1.8A,TO252
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无图
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SPD02N60S
制造商型号: SPD02N60S
制造商: Infineon
描述: MOSFET,N沟道,600V,1.8A,TO252
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间35 ns
典型接通延迟时间35 ns
典型栅极电荷@Vgs7.3 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds240 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.22mm
封装类型TO-252
尺寸6.5 x 6.22 x 2.3mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散25000 mW
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值3 Ω
最大连续漏极电流1.8 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度6.5mm
高度2.3mm

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