| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SPD02N60S5BTMA1 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET LOW POWER_LEGACY
| 搜索 |
| SPD02N60S5 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 600V 1.8A DPAK-2 CoolMOS S5 RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| SPD02N60S | Infineon | MOSFET，N沟道，600V，1.8A，TO252 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： SPD02N60S5 品牌： Infineon 库存编号： 445-2360 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SPD02N60S Infineon | MOSFET，N沟道，600V，1.8A，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | SPD02N60S5 INFINEON | 场效应管 MOSFET N型 600V D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
| SPD02N60S5XT Infineon Technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | SPD02N60S5 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| SPD02N60S5 INFINEON | 场效应管 MOSFET N型 600V D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
 | SPD02N60S5 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 | 查价格库存 查看详细 |
| SPD02N60S Infineon | MOSFET，N沟道，600V，1.8A，TO252 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 35 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7.3 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 240 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 尺寸 | 6.5 x 6.22 x 2.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 25000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 2.3mm |
