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| SPB03N60S5 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 600V 3.2A D2PAK-2 CoolMOS S5 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| SPB03N60S5 [更多] | Infineon Technologies AG |
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| SPB03N60S5 [更多] | Siemens | 3.2 A, 600 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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| SPB03N60S5 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | SPB03N60S5 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-263 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | SPB03N60S5 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 18/Nov/2011 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 135µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 420pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 38W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | SP000012341 SPB03N60S5-ND SPB03N60S5INTR SPB03N60S5XT |
