SPB02N60C3,SPB02N60C3|INFINEON-SPB02N60C3原装现货,PDF下载
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SPB02N60C3
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MOSFET N-Ch 600V 1.8A D2PAK-2 CoolMOS C3

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SPB02N60C3
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SPB02N60C3
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: SPB02N60C3)

RoHS: Compliant

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  日本2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SPB02N60C3
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 600V 1.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263

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SPB02N60C3
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SPB02N60C3ATMA1
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SPB02N60C3|INFINEONSPB02N60C3
INFINEON		场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
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无图SPB02N60C3XT
Infineon Technologies		原厂原装货
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SPB02N60C3|Infineon TechnologiesSPB02N60C3
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
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SPB02N60C3|INFINEONSPB02N60C3
INFINEON		场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
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SPB02N60C3|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SPB02N60C3
制造商型号： SPB02N60C3
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 600V D2-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 1.8A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 3ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 25W
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • 封装/箱盒: D2-PAK
  • 晶体管类型: 增强
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds: 600V
  • 电压, Vds 典型值: 650V
  • 电流, Idm 脉冲: 5.4A
  • 表面安装器件: SMD
产地： KR Korea (Republic of)

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