型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
SM8S33A-E3/2 | Vishay | 单向,瞬态电压抑制,6.6kW,33V,DO-218AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Semiconductor Diodes Division TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO218AB 型号:SM8S33A-E3/2D 仓库库存编号:SM8S33A-E3/2DGICT-ND 别名:SM8S33A-E3/2DGICT SM8S33AE32D | 无铅 | 搜索 |
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ESD保护 | 是 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 8.7mm | |
封装类型 | DO-218AB | |
尺寸 | 13.7 x 8.7 x 5mm | |
峰值脉冲功率耗散 | 6600W | |
引脚数目 | 2 | |
方向类型 | 单向 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大反向待机电压 | 33V | |
最大反向漏电流 | 10μA | |
最大峰值脉冲电流 | 124A | |
最大钳位电压 | 53.3V | |
最小击穿电压 | 36.7V | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
测试电流 | 5mA | |
配置 | 单 | |
长度 | 13.7mm | |
高度 | 5mm |