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SIZ710DT-T1-GE3
- 双通道 N 沟道 20 V 0.0068 Ohm 表面贴装 功率 MOSFET - PowerPAIR 6 x 3.7 mm - SIZ710DTT1GE3
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SIZ710DT-T1-GE3
制造商型号:
SIZ710DT-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
双通道 N 沟道 20 V 0.0068 Ohm 表面贴装 功率 MOSFET - PowerPAIR 6 x 3.7 mm
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
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400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
Channel Type:
Dual N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
20 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.0068 Ω
Qg Gate Charge:
18 nC
Rated Power Dissipation:
27 to 48 W
手机网站相关详细信息:
SIZ710DT-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SIZ710DT-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SIZ710DT-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: 双通道 N 沟道 20 V 0.0068 Ohm 表面贴装 功率 MOSFET - PowerPAIR 6 x 3.7 mm
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