SISS23DN-T1-GE3,SISS23DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SISS23DNT1GE3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SISS23DN |
|---|---|
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | * |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 27A （Ta）， 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.5 毫欧 @ 20A， 4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 8840pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.8W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 其它名称 | SISS23DN-T1-GE3TR |
