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SISA14DN-T1-GE3
- MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV - SISA14DNT1GE3
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SISA14DN-T1-GE3
制造商型号:
SISA14DN-T1-GE3
制造商:
Vishay Semiconductors
描述:
MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
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400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
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产品信息
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
汲极/源极击穿电压:
30 V
漏极连续电流:
19.7 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
0.0051 mOhms at 10 V
封装 / 箱体:
PowerPAK 1212-8
手机网站相关详细信息:
SISA14DN-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SISA14DN-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: SISA14DN-T1-GE3 品牌: Vishay Semiconductors 备注: MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 14.1A N-Ch G-IV
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