SIS448DN-T1-GE3,SIS448DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SIS448DNT1GE3原装现货,PDF下载
电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司
您现在的位置： 首页 > 品牌索引 > VISHAY SILICONIX - SIS448DN-T1-GE3 - 场效应管 MOSFET N沟道 带二极管 30V 35A PPAK1212-8 - SIS448DNT1GE3
搜索查看价格，货期，PDF，及最新库存

50个仓库，1500万条库存数据任选
SIS448DN-T1-GE3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIS448DN-T1-GE3
制造商型号： SIS448DN-T1-GE3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 带二极管 30V 35A PPAK1212-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 带二极管 30V 35A PPAK1212-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 35A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 4600μohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 3.7W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: PowerPAK 1212
  • 针脚数: 8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 19A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

手机网站相关详细信息：SIS448DN-T1-GE3
旗下站点www.szcwdz.cn相关详细信息: SIS448DN-T1-GE3
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: 暂无相关型号
询价
业务受理时间：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的订单当日发货，17:00之后的订单次日发货（周日、节假日顺延），推荐合作货运物流：顺丰快递。快递费用：23元。

  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
Copyright(C) 2011-2021 Szcwdz.com 创唯电子 版权所有 备案号:粤ICP备11103613号
专注电子元件代理销售  QQ：800152669  电子邮件：sales@szcwdz.com  电话：400-900-3095