SIR892DP-T1-GE3,SIR892DP-T1-GE3|VISHAY代理分销-SIR892DPT1GE3原装现货,PDF下载
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SIR892DP-T1-GE3
- 单 N沟道 25 V 0.0032 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8 - SIR892DPT1GE3
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SIR892DP-T1-GE3
制造商型号:
SIR892DP-T1-GE3
制造商:
VISHAY
描述:
单 N沟道 25 V 0.0032 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
25 V
Drain-Source On Resistance-Max:
0.0032 Ω
Qg Gate Charge:
60 nC
Rated Power Dissipation:
50 W
手机网站相关详细信息:
SIR892DP-T1-GE3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
SIR892DP-T1-GE3
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www.szcwdz.com.cn
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型号: SIR892DP-T1-GE3 品牌: VISHAY 备注: 单 N沟道 25 V 0.0032 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - SOIC-8
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
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