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SIR892DP-T1-E3|VISHAY SILICONIX
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SIR892DP-T1-E3
制造商型号： SIR892DP-T1-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 50A
  • 漏源电压, Vds: 25V
  • 在电阻RDS（上）: 3.2mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 5W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: PowerPAK SO
  • 针脚数: 8
  • 上升时间: 18ns
  • 功耗, Pd: 50W
  • 功耗, Pd: 5W
  • 封装/箱盒: PowerPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 30A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 25V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 2.6V
产地： CN China

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