SIR662DP-T1-GE3,SIR662DP-T1-GE3|VISHAY-SIR662DPT1GE3原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

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  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIR662DP-T1-GE3
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MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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SIR662DP-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 60V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SIR662DP-T1-GE3)

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SIR662DP-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 60V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SIR662DP-T1-GE3/BKN)

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  日本3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 60V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R

RoHS: Compliant

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  新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
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SIR662DP-T1-GE3
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MOSFET, N CH, DIO, 60V,100A, PPK SO8

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

60V 2.7MOHMS 60A N-CH PPAK SO-8

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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SIR662DP-T1-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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  自家仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
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(工作日)		 操作
SIR662DP-T1-GE3 VISHAY 60V 2.7MOHMS 60A N-CH PPAK SO-8 查看库存、价格及货期
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Vishay Siliconix - SIR662DP-T1-GE3 - MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8

型号：SIR662DP-T1-GE3
仓库库存编号：SIR662DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR662DP-T1-GE3CT
SIR662DPCT
SIR662DPCT-ND

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIR662DP-T1-GE3
VISHAY SIR662DP-T1-GE3		2127797

VISHAY

场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 60A, POWERPAKSO-8

 (EN)		查看其他仓库
SIR662DP-T1-GE3
VISHAY SIR662DP-T1-GE3		2056694

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1 V

 (EN)		查看其他仓库
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Siliconix / Vishay - SIR662DP-T1-GE3 - 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET|70459586 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

型号：SIR662DP-T1-GE3
仓库库存编号：70459586

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SIR662DP-T1-GE3|VISHAYSIR662DP-T1-GE3
VISHAY		60V 2.7MOHMS 60A N-CH PPAK SO-8
Rohs

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无图SIR662DP-T1-GE3
VISHAY		60V 2.7MOHMS 60A N-CH PPAK SO-8
Rohs

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SIR662DP-T1-GE3|Vishay SiliconixSIR662DP-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 60V 60A 8-SO PWRPAK
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SIR662DP-T1-GE3|VISHAY
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIR662DP-T1-GE3
制造商型号： SIR662DP-T1-GE3
制造商： VISHAY
描述： 60V 2.7MOHMS 60A N-CH PPAK SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 3.3 mΩ
  • Qg Gate Charge: 27.5 nC
  • Rated Power Dissipation: 104 W

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