SIR412DP-T1-GE3,SIR412DP-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SIR412DPT1GE3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SIR412DP |
|---|---|
| 产品相片 | SIR412DP-T1-GE3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 15.6W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 其它名称 | SIR412DP-T1-GE3TR SIR412DPT1GE3 |
