SIR402DP-T1-E3,SIR402DP-T1-E3|VISHAY SILICONIX-SIR402DPT1E3原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SIR402DP-T1-E3
库存编号:1684086		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, SO-83164
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
5000+
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￥11.49
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￥7.09
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SIR402DP-T1-E3
库存编号:1684086RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, SO-83164
100起订		100+
500+
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5000+
￥9.53
￥8.19
￥7.09
￥6.85
1-2周购买 购买
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型号 制造商 描述 操作
SIR402DP-T1-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, SO-8

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SIR402DP-T1-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, SO-8

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型号 制造商 描述 库存 起订量 参考单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
SIR402DP-T1-E3 VISHAY SILICONIX 场效应管 MOSFET N SO-8 查看库存、价格及货期
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SIR402DP-T1-E3|VISHAY SILICONIXSIR402DP-T1-E3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET N SO-8
Rohs

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SIR402DP-T1-E3|VISHAY SILICONIXSIR402DP-T1-E3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET N SO-8
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIR402DP-T1-E3
VISHAY SIR402DP-T1-E3		1684086

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1.15 V

 (EN)		搜索
SIR402DP-T1-E3
VISHAY SIR402DP-T1-E3		1684086RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 6 mohm, 10 V, 1.15 V

 (EN)		搜索
SIR402DP-T1-E3|VISHAY SILICONIX
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
SIR402DP-T1-E3
制造商型号： SIR402DP-T1-E3
制造商： VISHAY SILICONIX
描述： 场效应管 MOSFET N SO-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SO-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 35A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 6mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 4.2W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: PowerPAK SO
  • 针脚数: 8
  • 上升时间: 20ns
  • 功耗, Pd: 36W
  • 功耗, Pd: 4.2W
  • 封装/箱盒: PowerPAK
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 20.7A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 30V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 1V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 3V
产地： CN China

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