SIHW33N60E-GE3,SIHW33N60E-GE3|VISHAY SILICONIX代理分销-SIHW33N60EGE3原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | SIHG33N60E |
|---|---|
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | E 系列 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 33A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 99 毫欧 @ 16.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3508pF @ 100V |
| 功率 - 最大值 | 278W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
| 其它名称 | SIHW33N60E-GE3TR SIHW33N60EGE3 |
