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SIHP22N60E-E
制造商型号： SIHP22N60E-E
制造商： Vishay
描述： MOSFET N 沟道 600V 21A TO220AB
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间59 ns
典型接通延迟时间18 ns
典型栅极电荷@Vgs57 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds1920 pF @ 100 V
安装类型通孔
宽度4.65mm
封装类型TO220AB
尺寸10.51 x 4.65 x 15.49mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散227 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.18 Ω
最大连续漏极电流21 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.51mm
高度15.49mm

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